第三代半导体

公司子公司云南鑫耀6英寸磷化铟单晶片量产在即：九峰山实验室近日在磷化铟（InP）材料领域取得重要技术突破，成功开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。这一成果也是国内首次在大尺寸磷化铟材料制备领域实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用。

公司主要从事化合物半导体材料与器件， 以氮化镓、 碳化硅、磷化铟等为主

1、公司拥有大功率转换模块的核心技术，是国内为数不多的能提供大功率直流充电模块的厂商，以箱式变电站为主线；在国网历年充电设备招标中均有稳定中标；

2、公司现阶段主要开展了氮化镓功率器件在超高效电源模块上的应用研究，目前已完成样机开发工作并实现小额销售

公司称主要研发6英寸导电型碳化硅衬底材料

1、公司与晶睿电子签订投资协议，通过增资持有其29.0323%股权，标的公司主营业务为6、8、12英寸高性能硅外延片的研发、制造和销售，并同时开展硅基GaN和SiC外延的研发和小批量生产；

2、子公司泰博迅睿业务包括储能电池，已与比亚迪等国内主要电池厂商建立业务合作

国内领先的宽禁带半导体衬底材料生产商；公司近日签订13.93亿长期合同，向合同对方销售6英寸导电型碳化硅衬底产品

公司是国内领先的智能终端充储电企业，自主研发出快充氮化镓充电器等产品，已有苹果PD快充的批量订单

公司合肥露笑半导体一期进入正式投产阶段，目前碳化硅项目进展符合预期

公司主要从事复合超硬材料及超硬材料制品的研产销，是国内规模最大的聚晶金刚石（PCD）研发与生产企业；上半年净利润同比增长14.09%

公司为国内领先的电力功率半导体器件供应商，拥有自有的芯片生产线 ，生产的芯片具有完全自主知识产权；募投项目中包括碳化硅（SIC）器件为代表的第三代半导体器件的研发

公司持有天津聚合碳基研究院51%股权，标的企业专注于碳基类产品研发，目前正与相关单位合作推进时速300-350公里高铁粉末合金制动系统的合作和时速400公里以上的碳基高铁刹车等项目，相关项目尚在推进中

公司主要产品电源适配器、特种变压器以及各类定制电源，客户有华为集团；批量生产的自研自有品牌“京泉华”产品-PD 65W电源适配器中使用氮化镓技术

公司主营业务为LED外延片及芯片的研发、生产及销售业务，主要产品为GaN基高亮度蓝光LED外延片及芯片

公司是国内领先的智能终端充储电企业，已自主研发出快充氮化镓充电器等产品，已有苹果PD快充的批量订单

公司自身主要为新疆石河子提供电、热、天然气等能源服务，拟出资20000万元参股天科合达3.7068%的股份，天科合达从事第三代半导体碳化硅晶片的研发

中国IDM龙头；拥有国内首款单芯片六轴惯性传感器，基于完全自主知识产权的单芯片MEMS传感器；已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线，涵盖材料生长、器件研发、GaN电路研发、封装、系统应用的全技术链

国内领先的半导体功率器件设计企业，是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品的本土企业之一

国内领先的半导体功率器件设计企业，是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品的本土企业之一

国内领先的半导体功率器件设计企业，是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品的本土企业之一

公司与晶睿电子签订投资协议，通过增资持有其29.0323%股权，标的公司主营业务为6、8、12英寸高性能硅外延片的研发、制造和销售，并同时开展硅基GaN和SiC外延的研发和小批量生产；前三季度净利润同比增长20.3%

公司子公司与中科院半导体研究所签订新型氮化物智慧光电联合实验室协议

前期强势股；公司是国内技术和研发能力最完整，综合实力国内领先的人造金刚石生产企业，金刚石是第三代半导体的重要材料之一；第一大股东天证远洋持有的股权被司法拍卖，可能导致公司实际控制权发生变更

前期强势股；公司董事长王敏博士团队研发的第三代半导体“硅衬底高光效氮化镓GaN基蓝色发光二极管”项目曾获国家技术发明奖一等奖；实控人旗下晶能光电是硅衬底LED技术的上游企业，存整合预期

公司位于烟台恒邦化工产业园的恒邦高纯新材料项目即将进入带料试车阶段，年底纯度达到7.5个9的高纯砷产品将问世，全部建成后该项目将具备年产高纯砷50吨、高纯锑50吨、高纯铋50吨、高纯碲20吨的能力

国内电动汽车电机控制器龙头之一；公司与比亚迪合作，在碳化硅模块的新能源汽车应用方面展开长期合作

公司主营光伏逆变器和光伏系统集成业务，并投资建设光伏电站项目；是国家第三代半导体产业技术基地（南方基地）第二大股东及推动产业创新技术发展的核心成员单位，已经研发出基于碳化硅、氮化镓器件的高效DC/AC， 双向DC/DC新产品

公司为国产半导体设备龙头，具备14nm制程部分设备供应能力

公司已将氮化镓元器件应用于正在研发的标准品PD65W智能充电器项目

公司是国内领先的智能终端充储电企业，主要从事充电器、移动电源等智能终端充储电产品的研产销，产品主要应用于智能手机、智能穿戴设备、智能家居、智能音箱等领域；已自主研发出快充氮化镓充电器等产品

公司将与合肥市长丰县人民政府共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园，项目总投资100亿元；碳化硅功率器件具有高频、 高效、 高温、 高压等优势，是下一代功率器件的发展方向

目前国内规模领先、品种最齐全、产业链最完整的超硬材料供应商，在人造金刚石产业链上所涉及的制品、设备和其它辅助原料等均具有自主研发能力

国内太阳能晶硅片切割材料的龙头供应商之一；公司主导产品太阳能晶硅片切割刃料、半导体晶圆片切割刃料是太阳能光伏产业、半导体芯片制备产业的专用切割材料，还广泛应用于工程陶瓷、研磨材料等领域

公司主要产品为弹载固态发射机、新型相控阵天线及其他固态发射机产品，应用在包括雷达制导导弹精确制导系统等；氮化镓微波集成电路脉冲调制电路技术系针对第三代半导体材料氮化镓应用的技术，该技术现在已经在生产过程中应用

公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产，自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管芯片是公司的核心竞争力之一

公司主营光伏逆变器和光伏系统集成业务，并投资建设光伏电站项目；是国家第三代半导体产业技术基地（南方基地）第二大股东及推动产业创新技术发展的核心成员单位，已经研发出基于碳化硅、氮化镓器件的高效DC/AC， 双向DC/DC新产品

公司将与合肥市长丰县人民政府共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园，项目总投资100亿元；碳化硅功率器件具有高频、 高效、 高温、 高压等优势，是下一代功率器件的发展方向

公司近日与宿迁经开区管委会签订投资合同书，拟投资约35亿元建设聚灿光电扩产项目，主要产品为Mini/MicroLED氮化镓、砷化镓芯片

公司已在第三代半导体领域投入平台建设；公司为功率半导体龙头，是国内少数集单晶硅片制造、芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体的规模企业；目前公司成熟产线主要集中在4寸晶圆产线，且产能达到全球第一

公司对国内领先的第三代半导体材料氮化镓（GaN）厂商苏州纳维科技有限公司参观考察，双方就氮化镓生产装备制造、股权投资合作等方面展开了深入研讨

公司凭借在砷化镓和氮化镓光电器件领域多年研发和生产的积累，积极布局以砷化镓和氮化镓材料为基础的化合物半导体方向，投资16亿元加码半导体研发项目

公司持有天津聚合碳基研究院51%股权，标的企业专注于碳基类产品研发，目前正与相关单位合作推进时速300-350公里高铁粉末合金制动系统的合作和时速400公里以上的碳基高铁刹车等项目，相关项目尚在推进中

公司是国内领先的智能终端充储电企业，主要从事充电器、移动电源等智能终端充储电产品的研产销，产品主要应用于智能手机、智能穿戴设备、智能家居、智能音箱等领域；已自主研发出快充氮化镓充电器等产品

公司致力打造碳化硅“设备——衬底——外延”的完整产业链；将与合肥市长丰县人民政府在合肥市共同投资建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园，项目投资总规模预计100亿元；碳化硅功率器件具有高频、 高效、 高温、 高压等优势，是下一代功率器件的发展方向

公司董事长王敏博士团队研发的第三代半导体“硅衬底高光效氮化镓GaN基蓝色发光二极管”项目曾获国家技术发明奖一等奖；实控人旗下晶能光电是硅衬底LED技术的上游企业，存整合预期

公司致力打造碳化硅“设备——衬底——外延”的完整产业链；将与合肥市长丰县人民政府在合肥市共同投资建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园，项目投资总规模预计100亿元；碳化硅功率器件具有高频、 高效、 高温、 高压等优势，是下一代功率器件的发展方向

公司凭借在砷化镓和氮化镓光电器件领域多年研发和生产的积累，积极布局以砷化镓和氮化镓材料为基础的化合物半导体方向，投资16亿元加码半导体研发项目

国内技术和研发能力最完整，综合实力国内领先的人造金刚石生产企业

公司近日与宿迁经开区管委会签订投资合同书，拟投资约35亿元建设聚灿光电扩产项目，主要产品为Mini/MicroLED氮化镓、砷化镓芯片

公司董事长王敏博士团队研发的第三代半导体“硅衬底高光效氮化镓GaN基蓝色发光二极管”项目曾获国家技术发明奖一等奖；实控人旗下晶能光电是硅衬底LED技术的上游企业，存整合预期

公司对国内领先的第三代半导体材料氮化镓（GaN）厂商苏州纳维科技有限公司参观考察，双方就氮化镓生产装备制造、股权投资合作等方面展开了深入研讨

公司致力打造碳化硅“设备——衬底——外延”的完整产业链；将与合肥市长丰县人民政府在合肥市共同投资建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园，项目投资总规模预计100亿元；碳化硅功率器件具有高频、 高效、 高温、 高压等优势，是下一代功率器件的发展方向

公司凭借在砷化镓和氮化镓光电器件领域多年研发和生产的积累，积极布局以砷化镓和氮化镓材料为基础的化合物半导体方向，投资16亿元加码半导体研发项目

公司近日与宿迁经开区管委会签订投资合同书，拟投资约35亿元建设聚灿光电扩产项目，主要产品为Mini/MicroLED氮化镓、砷化镓芯片

国内技术和研发能力最完整，综合实力国内领先的人造金刚石生产企业

公司是国家第三代半导体产业技术基地（南方基地）第二大股东及推动产业创新技术发展的核心成员单位，现主要负责碳化硅、氮化镓功率器件的应用技术研发工作，已经研发出基于碳化硅、氮化镓器件的高效DC/AC， 双向DC/DC新产品

公司拥有一种氮化镓基发光二极管芯片以及一种高光效氮化镓基发光二极管芯片专利；子公司淮安光电是行业内极少数具有从衬底切磨抛、PSS、外延片到芯片的完整产业链的公司，主要产品为蓝绿光LED芯片，即在蓝宝石衬底上生长制造氮化镓二极管